پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدان (FET)

نوع فایل: پاورپوینت ()

 قسمتی از متن پاورپوینت:

تعداد اسلاید: 20 صفحه

ترانزیستورهای اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان
Field Effect Transistor الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) و رزیستور (مقاومت) تشکیل شده است و قطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت می شود. تعریف الکترونیک دیجیتال اگر قطعه ای سیلیکن با ناخالصی نوع n به دو سر یک باتری وصل کنیم جریانی با توجه به میزان مقاومت سیلیکن در مدار جاری می شود ورود الکترون ها خروج الکترون ها ایجاد ترانزیستور اثر میدان (FET) الکترونیک دیجیتال نفوذ فلز سه ظرفیتی (مانند ایندیم) و ایجاد ناحیه ای از نوع P با غلظتی بیش از ناحیه n
و ایجاد اتصالی به نام گیت ناحیه n کانال نامیده می شود بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن الکترونیک دیجیتال اگر هر سه پایه سورس و درین را اتصال کوتاه کنیم هیچ جریانی از کانال نمی گذرد و دو ناحیه P و n توسط ناحیه تخلیه از هم جدا می شوند. 1 الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بین دو پایه درین و سورس به طوری که درین نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث:
افزایش ولتاژ باعث عبور جریان از کانال می شود
اتصال pn در گرایش معکوس قرار می گیرد
ناحیه تخلیه (سد) در داخل کانال نفوذ می کند
با افزایش بیشتر ولتاژ کانال مسدود می شود. (ولتاژ بحرانی Vp) در هنگام رسیدن به ولتاژ بحرانی جریان FET به حداکثر (جریان اشباع درین – سورس) می رسد افزایش بیش از حد ولتاژ
درین – سورس باعث شکست بهمنی یا سوختن ترانزیستور می شود 2 بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن الکترونیک دیجیتال 3 بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن 4 افزایش
VDS الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بین گیت و سورس در جهت معکوس باعث:
- گسترش هر چه سریعتر ناحیه تخلیه در کانال بایاس ترانزیستور و نحوه کارکرد آن 5 در صورتیکه ولتاژ درین – سورس را بیش از ولتاژ بحرانی انتخاب کنیم:
با افزایش ولتاز گیت سورس سرانجام جریان درین صفر خواهد شد. که به این ولتاژ، ولتاژ قطع یا آستانه نامیده می شود. الکترونیک دیجیتال درعمل به منظور داشتن مشخصات الکتریکی بهتر ناحیه گیت را در دو طرف کانال ایجاد می کنند و این دو ناحیه از داخل به هم متصل می شود. در این حالت پیشروی ناحیه تخلیه متناسب خواهد بود الکترونیک دیجیتال علامت اختصاری FET الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال در این ترانزیستور تغییرات جریان درین وابسته به تغییرات VDS و VGS می باشد منحنی مشخصه
FET ناحیه قطع: رسیدن ولتاژ VGS به ولتاژ آستانه و تسخیر کانال توسط ناحیه تخلیه هیچ جریانی از درین نمی گذرد ناحیه خطی: در این ناحیه ترانزیستور مانند مقاومت خطی عمل می کند و مقدار آن با مقدار VGS تغییر می کند. ناحیه اشباع: در این ناحیه ترانزیستور مانند منبع جریان ثابت عمل می کند شرط حضور ترانزیستور در این ناحیه:
VDS  VP + VGS ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده
Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) الکترونیک دیجیتال به دلیل افزایش جریان نشتی گیت – سورس با افزایش دمای محیط و کاهش مقاومت ورودی آن گیت ترانزیستور با یک لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا شده و هیچ جریانی از آن عبور نمی کند. (مقاومت ورودی بی نهایت)
ترانزیستورجدید MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) نامیده می شود. N Channel Mosfet الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال عرض کانال (W) و طول کانال (L)
در نوع N channel بدنه از نوع p و در نوع p کانال بدنه از نوع n ساخته می شود. N Channel Mosfet الکترونیک دیجیتال N Channel Mosfet عملکرد ترانزیستور با ولتاژ گیت صفر
دو لایه فلزی موازی گیت و بدنه صفحات یک خازن و لایه اکسید نیز عایق آن را تشکیل می دهد.
دو اتصال pn (اتصال سورس – بدنه و درین – بدنه) دو دیود پشت به پشت را تشکیل می دهد
پایه های سورس و درین بوسیله دو ناحیه تخلیه ایزوله شده و جریانی بین آن ها برقرار نیست.

توجه: متن بالا فقط قسمت کوچکی از محتوای فایل پاورپوینت بوده و بدون ظاهر گرافیکی می باشد و پس از دانلود، فایل کامل آنرا با تمامی اسلایدهای آن دریافت می کنید.